早期應用半導體PN結發(fā)光原理制成的山東led顯示屏光源于20世紀60年代初問世。 當時使用的材料是GaAsP，發(fā)出紅光(λp=650nm)。 當驅動電流為20mA時，光通量僅為千分之幾流明，相應的發(fā)光效率約為0.1流明/瓦。
　　20世紀70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光(λp=555nm)、黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm)，光效率也提高到1 流明/瓦。
　　20世紀80年代初，GaAlAs LED光源出現(xiàn)，使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。
　　20世紀90年代初，發(fā)紅、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN研制成功，大大提高了LED的光效率。 2000年，前者制造的LED在紅、橙光區(qū)(λp=615nm)的發(fā)光效率達到100流明/瓦，而后者制造的LED在綠光區(qū)(λp=530nm)的發(fā)光效率可達100流明/瓦。 50 流明/瓦。